4月2日，國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 器件芯片級(jí)中空腔體封裝技術(shù)規(guī)范》起草工作組第二次會(huì)議在中心召開。本次會(huì)議由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC 336）研究組牽頭，山東中康國(guó)創(chuàng)先進(jìn)印染技術(shù)研究院有限公司承辦。

來自中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司、蘇州捷研芯電子科技有限公司、蘇州市計(jì)量測(cè)試院有限公司、六方半導(dǎo)體科技（寧波）有限公司、北京智芯微電子科技有限公司、上海航天技術(shù)基礎(chǔ)研究所、廣州市艾佛光通科技有限公司、成都頻岢微電子有限公司、蘇州漢天下電子有限公司、中國(guó)電力科學(xué)研究院有限公司、東南大學(xué)、中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)第二一四研究所等起草單位專家代表參會(huì)。

會(huì)上，起草組專家首先介紹了該標(biāo)準(zhǔn)的編制背景、整體框架及核心內(nèi)容，重點(diǎn)解讀標(biāo)準(zhǔn)中術(shù)語定義、封裝設(shè)計(jì)、材料性能、工藝技術(shù)要求、測(cè)試方法等關(guān)鍵章節(jié)核心技術(shù)要點(diǎn)。與會(huì)專家結(jié)合自身在MEMS封裝研發(fā)、生產(chǎn)、檢測(cè)等領(lǐng)域?qū)嵺`經(jīng)驗(yàn)，對(duì)草案內(nèi)容進(jìn)行逐章逐條細(xì)致研討。

與會(huì)專家就草案核心內(nèi)容達(dá)成階段性共識(shí)，明確了后續(xù)修改完善的方向和主要分工，接下來將結(jié)合本次修改意見進(jìn)一步優(yōu)化標(biāo)準(zhǔn)草案，推進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)編制工作有序開展。

會(huì)后，起草組專家參觀中心微機(jī)電實(shí)驗(yàn)室，就MEMS封裝技術(shù)實(shí)際應(yīng)用、工藝創(chuàng)新等方面進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)交流。中心主任毛志平、總經(jīng)理助理李榮等陪同參觀。